1.在實(shí)際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達(dá)到真正的飽和;倍數(shù)越大，飽和程度就越深。
2.集電極電阻越大越容易飽和;
3.飽和區(qū)的現(xiàn)象就是：二個(gè)PN結(jié)均正偏，IC不受IB之控制
基極電流達(dá)到多少時(shí)三極管飽和?
這個(gè)值應(yīng)該是不固定的，它和電源電壓,集電極負(fù)載、β值,基極電阻,
基極信號(hào)大小有關(guān).
另外一個(gè)應(yīng)該注意的問題就是：在Ic增大的時(shí)候，hFE會(huì)減小，所以我們應(yīng)該讓三極管進(jìn)入深度飽和Ib〉〉Ic(max)/hFE,Ic(max)是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限，當(dāng)然這是以犧牲關(guān)斷速度為代價(jià)的。
飽和時(shí)Vb>Vc，但Vb>Vc不一定飽和
一般判斷飽和的直接依據(jù)還是防大倍數(shù)，有的管子Vb>Vc時(shí)還能保持相當(dāng)高的放大倍數(shù)
例如：有的管子將Ic/Ib<10定義為飽和
Ic/Ib<1應(yīng)該屬于深飽和了
用三極管可以考慮以下幾天：
1)耐壓夠不夠
2)負(fù)載電流夠不夠大
3)速度夠不夠快(有時(shí)卻是要慢速)
4)B極控制電流夠不夠
5)有時(shí)可能考慮功率問題
6)有時(shí)要考慮漏電流問題(能否“完全”截止)。
7)增益
